【摘要】为了便于测量半导体薄膜在变温下的电阻率， 满足本科生 《半导体材料》课程的教学要求， 利用现有一台室温四探针测试仪和一台恒 温加热台， 开发了一台变温四探针电阻率测量仪， 测量温度范围从室温到300 o C。 通过磁控溅射法制备了热致相变材料二氧化钒薄膜， 利用自组 装的变温四探针测试仪测量了该薄膜在不同温度下的电阻率， 得到了相变转变温度。 教学实践表明： 该变温四探针能够很好的满足关于半导体材 料电阻率与温度变化关系实验测量的教学大纲要求， 取得了良好的教学效果。
【关键词】
《科技创新导报》 2015-10-13
《科技创新导报》 2015-10-13
《科技创新导报》 2015-10-13
《科技创新导报》 2015-10-13
《科技创新导报》 2015-10-13
《科技创新导报》 2015-10-14
《科技创新导报》 2015-10-14
《科技创新导报》 2015-10-14
010-56259535
关注中教数据库
Copyright © 2013-2016 ZJHJ Corporation,All Rights Reserved
个人中心
退出
发表评论
登录后发表评论 (已发布 0条)点亮你的头像 秀出你的观点