【摘要】当半导体材料中位错密度大于10 7 cm -2 ， 难以用传统的腐蚀法进行测量时， 可以利用高分辨X射线衍射 （XRD）峰的半高宽估算材料中位 错密度。 该文利用该方法研究了位错密度小于10 7 cm -2 时是否适用的问题。 结果表明， 材料中位错密度较低（5.3×10 5 cm -2 ） 时， 利用XRD测得的位 错密度值与实际值存在3个数量级的偏差。 分析认为， 当晶体中位错密度较低时， 参与衍射的晶面就越多， 衍射峰就越窄， 当位错加宽值与仪器精 度接近时， 就会产生较大偏差。 因此在低密度位错时， 利用XRD方法测量材料中位错密度时容易产生较大偏差。
【关键词】
《科技创新导报》 2015-10-13
《科技创新导报》 2015-10-13
《科技创新导报》 2015-10-13
《科技创新导报》 2015-10-13
《南方农业学报》 2015-10-15
《科技创新导报》 2015-10-14
《大电机技术》 2015-10-14
《科技创新导报》 2015-10-14
010-56259535
关注中教数据库
Copyright © 2013-2016 ZJHJ Corporation,All Rights Reserved
个人中心
退出
发表评论
登录后发表评论 (已发布 0条)点亮你的头像 秀出你的观点