【摘要】实用的硅光源器件在硅光电子器件中起着非常重要的作用。 但由于Si是间接带隙半导体材料， 基本上无发光， 当Si的尺寸减小到纳米量 级时， 存在着发光， Si-nc的光致发光强度较强， 但其电致发光强度较弱， 该研究采用在器件中加入场效应层的方法来提高硅纳米晶中的电子传 输效率，从而提高了硅纳米晶的电致发光强度。本研究在p型硅衬底上制备三种不同结构的样品，从而引入场效应，比较不同样品之间的EL强 度， 得出场效应方法增强硅纳米晶电致发光的强度。
【关键词】
《科技创新导报》 2015-10-14
《科技创新导报》 2015-10-14
《科技创新导报》 2015-10-14
《科技创新导报》 2015-10-14
《佛山科学技术学院学报（自然科学版）》 2015-10-15
《南方农业学报》 2015-10-15
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010-56259535
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