【摘要】摘 要： 基于Ba x S r1-x TiO 3 （BST） 在微波调制器件上的应用， 采用射频磁控溅射在Si衬底上制备了BST铁电薄膜， 利用透射电子显微镜 （TEM） 对 薄膜的内部结构进行了分析， 得到BST薄膜的生长方式由最初的随机取向生长转变为最后的 （111） 面择优取向生长。
【关键词】
《科技创新导报》 2015-10-14
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010-56259535
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